Usono disvolvas semikonduktaĵmaterialojn kun alta varmokondukteco por subpremi pecetvarmigon.
Kun la pliiĝo de la nombro da transistoroj en la blato, la komputika rendimento de la komputilo daŭre pliboniĝas, sed la alta densiĝo ankaŭ produktas multajn varmajn punktojn.
Sen taŭga termika mastruma teknologio, krom malrapidigi la operacian rapidon de la procesoro kaj redukti la fidindecon, ekzistas ankaŭ kialoj por Malhelpas recalentiĝon kaj postulas plian energion, kreante problemojn pri energia neefikeco. Por solvi ĉi tiun problemon, la Universitato de Kalifornio, Los-Anĝeleso evoluigis novan duonkonduktan materialon kun ekstreme alta varmokondukteco en 2018, kiu estas kunmetita de sendifekta boro-arsenido kaj boro-fosfido, kiu estas simila al ekzistantaj varmegaj materialoj kiel ekzemple. diamanto kaj siliciokarbido. rilatumo, kun pli ol 3 fojojn la varmokondukteco.
En junio 2021, la Universitato de Kalifornio, Los-Anĝeleso, uzis novajn semikonduktaĵmaterialojn por kombini kun alt-potencaj komputilaj blatoj por sukcese subpremi la varmogeneradon de la blatoj, tiel plibonigante komputilan rendimenton. La esplorteamo enmetis la boro-arsenidan duonkonduktaĵon inter la blato kaj la varmega lavujo kiel kombinaĵo de la varmego kaj la blato por plibonigi la varmodisigan efikon, kaj faris esploradon pri la termika administrada agado de la reala aparato.
Post ligado de la boro-arsenida substrato al la larĝa energia breĉo galiumnitruda duonkonduktaĵo, estis konfirmite ke la varmokondukteco de la galiumnitrudo/boro-arsenida interfaco estis same alta kiel 250 MW/m2K, kaj la interfaca termika rezisto atingis ekstreme malgrandan nivelon. La boro-arsenida substrato estas plue kombinita kun altnivela elektrona movebleca transistora blato kunmetita de aluminio-galio-nitruro/galio-nitruro, kaj estas konfirmite, ke la varmodisipa efiko estas signife pli bona ol tiu de diamanto aŭ siliciokarbido.
La esplorteamo funkciigis la blaton ĉe la maksimuma kapacito, kaj mezuris la varman punkton de ĉambra temperaturo ĝis la plej alta temperaturo. La eksperimentaj rezultoj montras, ke la temperaturo de la diamanta varmego estas 137 °C, la siliciokarbura varmego estas 167 °C, kaj la boro-arsenida varmego estas nur 87 °C. La bonega varmokondukteco de ĉi tiu interfaco venas de la unika fonona bendostrukturo de boro-arsenido kaj la integriĝo de la interfaco. La boro-arsenida materialo ne nur havas altan termikan konduktivecon, sed ankaŭ havas malgrandan interfacan termikan reziston.
Ĝi povas esti uzata kiel varmego por atingi pli altan funkcian potencon de aparato. Ĝi estas atendita esti uzata en longdistanca, altkapacita sendrata komunikado en la estonteco. Ĝi povas esti uzata en la kampo de altfrekvenca potenco elektroniko aŭ elektronika pakado.
Afiŝtempo: Aŭg-08-2022