Simile al grafeno, MXenes estas metalkarbura dudimensia materialo kunmetita de tavoloj de titanio, aluminio kaj karbonatomoj, ĉiu el kiuj havas sian propran stabilan strukturon kaj povas facile moviĝi inter tavoloj.En marto 2021, Misouri Ŝtata Universitato de Scienco kaj Teknologio kaj Argonne Nacia Laboratorio faris esploradon pri MXenes-materialoj kaj trovis, ke la kontraŭ-eluziĝo kaj lubrikaj propraĵoj de ĉi tiu materialo en ekstremaj medioj estas pli bonaj ol tradiciaj ole-bazitaj lubrikaĵoj, kaj povas esti uzataj kiel " "Super Lubricant" por redukti eluziĝon de estontaj sondiloj kiel Perseverance.
La esploristoj simulis la spacan medion, kaj frikciotestoj de la materialo trovis, ke la frota koeficiento de la MXene-interfaco inter la ŝtala pilko kaj la silic-kovrita disko formita en la "superlubrikita stato" estis tiel malalta kiel 0,0067 kiel malalta kiel 0,0017.Pli bonaj rezultoj estis akiritaj kiam grafeno estis aldonita al MXene.La aldono de grafeno povas plu redukti frotadon je 37.3% kaj redukti eluziĝon je faktoro de 2 sen tuŝi la superlubrikadon de MXene.MXenes-materialoj estas bone adaptitaj al alttemperaturaj medioj, malfermante novajn pordojn por estonta uzo de lubrikaĵoj en ekstremaj medioj.
La evoluprogreso de la unua 2nm-proceza blato en Usono estis anoncita
Daŭranta defio en la duonkondukta industrio estas samtempe produkti pli malgrandajn, pli rapide, pli potencajn kaj pli energi-efikajn mikroĉipojn.La plej multaj komputilaj blatoj kiuj funkciigas aparatojn hodiaŭ uzas 10- aŭ 7-nanometran procezteknologion, kun kelkaj produktantoj produktantaj 5-nanometrajn blatojn.
En majo 2021, IBM Corporation de Usono anoncis la evoluprogreson de la unua 2nm-proceza blato de la mondo.La blata transistoro adoptas tritavolan nanometran pordegon ĉirkaŭe (GAA), uzante la plej altnivelan ekstreman ultraviola litografioteknologion por difini la minimuman grandecon, la transistora pordego longo estas 12 nanometroj, la integriĝa denseco atingos 333 milionojn por kvadrata milimetro, kaj 50 miliardoj povas esti integritaj.
La transistoroj estas integritaj en areo de la grandeco de ungo.Kompare kun la 7nm-blato, la 2nm-proceza blato estas atendita plibonigos rendimenton je 45%, reduktos energikonsumon je 75% kaj povas plilongigi la baterian vivon de poŝtelefonoj kvaroble, kaj la poŝtelefono povas esti uzata senĉese dum kvar tagoj. kun nur unu ŝargo.
Krome, la nova proceza blato ankaŭ povas multe plibonigi la agadon de tekkomputiloj, inkluzive de plibonigo de la aplikaĵo-pretiga potenco de tekkomputiloj kaj la rapideco de interreta aliro.En aŭtoveturaj aŭtoj, 2nm-procezaj blatoj povas plibonigi objektajn detektajn kapablojn kaj mallongigi respondajn tempojn, kio multe antaŭenigos la disvolviĝon de la duonkondukta kampo kaj daŭrigos la legendon de la Leĝo de Moore.IBM planas amasprodukti 2nm-procezajn blatojn en 2027.
Afiŝtempo: Aŭg-01-2022